Основное направление работы лаборатории – разработка и совершенствование методов исследования морфологии и структуры поверхностей наноструктурированных, плёночных и объёмных материалов.
Для материалов на основе кремния проводится разработка технологии получения слоёв посредством их выращивания методом молекулярно-лучевой эпитаксии непосредственно в ростовой камере установки сканирующей туннельной микроскопии. Установка сканирующей электронной литографии используется для получения структур для изготовления двумерных фотонных кристаллов из материалов на основе кремния, а также для изготовления наноэлектромеханических структур из слоёв на основе арсенида галлия.
Результаты работы лаборатории:
Лаборатория входит в состав Аналитико-технологического инновационного центра «Высокие технологии и новые материалы» НГУ.
Кафедра физики полупроводников Физического факультета НГУ
Институт физики полупроводников СО РАН
