Основное направление работы лаборатории – исследования электрофизических характеристик полупроводниковых структур и приборов. Изучаются процессы переноса заряда в наноразмерных гетероструктурах на основе кремния с участием электронных состояний, локализованных в нанокристаллах. Проводится исследование особенностей транспорта носителей заряда в диодных и транзисторных структурах на основе органических полупроводников. Возможности лаборатории позволяют проводить измерения малых токов, процессов зарядки и перезарядки состояний, характеристик приборов с высокими токами.
В результате работы созданы многослойные наноразмерные структуры на основе кремния.
Лаборатория входит в состав Аналитико-технологического инновационного центра «Высокие технологии и новые материалы» НГУ.
Кафедра физики полупроводников Физического факультета НГУ
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
