Производитель: BRUKER, Германия
Назначение: визуализации рельефа поверхности образцов на нано- и субнанометровом уровне, исследований образцов в жидких средах, а также проведение анализа механических, электрических, пьезоэлектрических измерений и зарядовой литографии.
Основные измеряемые характеристики (диапазон измерения характеристик, показатели точности):
Максимальный размер образца — диаметр до 210 мм высота до 50 мм.
Максимальный размер поля сканирования XY до 90 мкм, с перепадами по высоте на поверхности Z до 10 мкм.
Визуализация микро- и нанорельефа поверхности образца с шумом не более 0.035 нм.
Разрешение вертикальное Z — <0.5 нм.
Разрешение латеральное XY — определяется остротой зонда (достижимо <1 нм).
Проведение анализа механических упругих характеристик с помощью методики картирования модуля Юнга PeakForce QNM (диапазон анализируемых значений от 1 МПа до 60 ГПа).
Внешнее подаваемое напряжение — от -10 В до 10 В. (В режиме KPFM-HV от -220 В до 220 В.)
Диапазон токов в режиме PeakForce TUNA — от -550 нА до 550 нА, минимальный шаг порядка 70 фА.
Наличие режима ёмкостной микроскопии (SCM), магнито-силовой микросокпии (MFM), однопроходной микроскопии поверхностного электрического потенциала (single-pass KPFM), контактного резонанса (Contact Resonance).
Производитель: JEOL Ltd., Япония
Год выпуска: 2008
Назначение: Микроскоп обеспечивает работу в режимах высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии (ВРЭМ), сканирующей просвечивающей микроскопии (СПМ), темного и светлого поля, включая HAADF-режим, получение дифракционных картин, включая дифракцию в сходящихся пучках, проведение спектрального анализа и картирования с помощью EDS и EELS
Основные измеряемые характеристики (диапазон измерения характеристик, показатели точности): морфология, структура, химический состав.
Разрешающая способность:
Производитель: JEOL Ltd., Япония
Назначение: визуализации микро- и нанорельефа поверхности образца, проведение элементного анализа.
Основные измеряемые характеристики (диапазон измерения характеристик, показатели точности):
Производитель: Raith GmbH, Германия
Год выпуска: 2013
Назначение: проведение электронно-лучевое экспонирование образцов для электронной литографии и получение электронно-микроскопических изображений поверхности.
Основные измеряемые характеристики (диапазон измерения характеристик, показатели точности): размер области экспонирования диаметром около 50 мм, минимальная ширина линий 20 нм.
Производитель: CEO Omicron Nano Technology GmbH, Германия
Год выпуска: 2007
Назначение: осаждение слоёв на поверхность образцов и получение информации об атомной структуре и морфологии поверхности, а также о поверхностных электронных состояниях.
Основные измеряемые характеристики (диапазон измерения характеристик, показатели точности): рост слоёв германия и кремния при разных температурах. Модификация поверхностей перед ростом посредством оксидирования или осаждения тонких слоёв выбранных веществ.
Производитель: ООО «НТ-МДТ», Россия
Год выпуска: 2008
Назначение: измерение трехмерной топологии и параметров микрорельефа поверхности конденсированных сред с атомарным разрешением.
Основные измеряемые характеристики (диапазон измерения характеристик, показатели точности): позволяет исследовать топографию поверхности образцов с высоким разрешением около 1 нм
Производитель: Horiba Jobin Yvon Ivon, Франция
Год выпуска: 2007
Назначение: для регистрации спектров комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции.
Основные измеряемые характеристики (диапазон измерения характеристик, показатели точности): диапазон от 300 до 900 нм, разрешение до 0.5 см-1 , конфокальный микроскоп. Источник света – аргоновый лазер, 488 и 514.5 нанометров. Имеются также твердотельные лазеры с длинами волн 540, 633 и 660 нм.
Дополнительные опции оборудования : прибор оснащен термо-ячейкой Linkam, что позволяет регистрировать спектры при температуре от 80 до 873 K.
Производитель: Bruker Corporation, Российская Федерация
Год выпуска: 2012
Назначение: измерение спектральных характеристик образцов.
Основные измеряемые характеристики (диапазон измерения характеристик, показатели точности):
Дополнительные опции оборудования : криогенный Si-болометр; приставка для измерения спектров отражения (угол падения 11-80º).
Производитель: ООО НПФ "СИМЕКС", РФ
Год выпуска: 2009
Назначение: для регистрации спектров ИК-поглощения.
Основные измеряемые характеристики (диапазон измерения характеристик, показатели точности): спектральный диапазон прибора составляет от 600 до 5500 обратных сантиметров. Разрешение составляет в зависимости от скорости и амплитуды сканирования от 0.5 до 4 см-1.
Дополнительные опции оборудования : cпектрометр оснащён микроскопом «МИКРАН» и приставками для исследования отражения и нарушенного полного внутреннего отражения.
Производитель: Австрия, Hecus
Год выпуска: 2007
Назначение: позволяет измерять интенсивность рентгеновского рассеяния от исследуемых твердых и жидких образцов в виде пленок, пластин, покрытий, порошков, растворов, золей и гелей в области от самых малых углов до 8°.
Основные измеряемые характеристики (диапазон измерения характеристик, показатели точности): для измерения дифрактограмм предусмотрено использование координатных (1D и 2D) детекторов. В качестве источника излучения используется рентгеновская трубка с медным анодом (λCuKα = 0.154 нм). Имеется возможность термостабилизации образцов в диапазоне от -30 до 300 оС. 0.01-0.6 Å
Производитель: Швейцария, Thermo Fisher Scientific
Год выпуска: 2009
Назначение: определение фазового состава пробы, количественное определение известных фаз в смеси, кристаллографический анализ, анализ тонких плёнок.
Основные измеряемые характеристики (диапазон измерения характеристик, показатели точности): материал анода рентгеновской трубки: Сu, максимальное напряжение 50кВ, максимальный ток 55мА. Внутренний фон ниже 0,1 имп/сек., линейная скорость до 50000 имп/сек.
Производитель: ЗАО "КАТАКОН", РФ
Год выпуска: 2007
Назначение: для регистрации спектров эллипсометрии.
Основные измеряемые характеристики (диапазон измерения характеристик, показатели точности): спектральный диапазон от 300 до 900 нм.
Производитель: ЗАО "КАТАКОН", РФ
Год выпуска: 2007
Назначение: для регистрации эллипсометрии.
Основные измеряемые характеристики (диапазон измерения характеристик, показатели точности): длина волны лазера 633 нм. Время записи спектра 100 мс.
Производитель: ЗАО "КАТАКОН", РФ
Год выпуска: 2007
Назначение: для регистрации эллипсометрии при сканировании образца.
Основные измеряемые характеристики (диапазон измерения характеристик, показатели точности): длина волны лазера 633 нм. Латеральное разрешение 10 мкм.
Производитель: ОАО КДП, РФ
Год выпуска: 2009
Назначение: измерение спектральных характеристик образцов
Основные измеряемые характеристики (диапазон измерения характеристик, показатели точности):
Дополнительные опции оборудования: приставка для измерения комплексного коэффициента отражения; 2D-сканер с компактным пиродетектором для измерения профиля интенсивности пучка; широкополосный преобразователь поляризации.
Производитель: Agilent Technologies, США
Год выпуска: 2007
Назначение: измерительная установка на базе прецизионного RLC измерителя E4980A предназначена для измерения частотных емкостных характеристик, токов утечки приборных наноструктур, исследования процессов зарядки-разрядки, обмена зарядом наночастиц.
Основные измеряемые характеристики (диапазон измерения характеристик, показатели точности): Диапазон частот от 20Гц до 2МГц, погрешность измерения составляет 0,05%, напряжение смещения, встроенный источник напряжения до ± 40В. Измеряемые параметры:
Дополнительные опции оборудования: подключение к зондовой станции «Cascade Microtech» М-150 с микропозиционерами с зондами и триаксиальными кабелями позволяет проводить измерения непосредственно на пластине диаметром до 150 мм. Уровень шума не превышает ±5fА.
Производитель: ULVAC Technologies Inc., Япония
Год выпуска: 2008
Назначение: отжиг образцов.
Основные измеряемые характеристики (диапазон измерения характеристик, показатели точности): программируемый отжиг образцов до температуры 1000 °С.
Производитель: ООО «Реверс», РФ
Год выпуска: 2009
Назначение: для измерения микрорельефа поверхностных микроструктур (в том числе дифракционных) и тонких пленок.
Основные измеряемые характеристики (диапазон измерения характеристик, показатели точности): измерение рельефа в диапазоне 50-4000 нм.
Производитель: ESDI, США
Год выпуска: 2008
Назначение: для контроля точности изготовления поверхностей оптических деталей и оптических систем.
Основные измеряемые характеристики (диапазон измерения характеристик, показатели точности):
Производитель: ИПФ РАН, Россия
Год выпуска: 2008
Назначение: микроволновая обработка материалов в лабораторных условиях.
Основные измеряемые характеристики (диапазон измерения характеристик, показатели точности):
Дополнительные опции оборудования: регистрация температуры образца: до 4 термопар, окно для установки ИК пирометров; вакуумные клапаны для откачки аппликатора и напуска газов замещения.
Производитель: ИЯФ СО РАН, Россия
Год выпуска: 2008
Назначение: микроволновая обработка материалов, характеризующихся малым поглощением СВЧ излучения (tgd ~ 10-4).
Основные измеряемые характеристики (диапазон измерения характеристик, показатели точности):
Дополнительные опции оборудования: регистрация температуры образца: два ИК пирометра на различные поддиапазоны; Вакуумные клапаны для откачки аппликатора и напуска газов замещения
Производитель: ИЯФ СО РАН, Россия
Год выпуска: 2008
Назначение: модификация поверхности материалов, исследования процессов ионной имплантации и блистеринга.
Основные измеряемые характеристики (диапазон измерения характеристик, показатели точности):
Производитель: ОАО НИИТМ, Россия
Год выпуска: 2009
Назначение: плазмохимическое высокоаспектное травление полупроводниковых и диэлектрических пленок на основе кремния (Si, SiO2, SiONx, фоторезист) при формировании микро- и наноструктур.
Основные измеряемые характеристики (диапазон измерения характеристик, показатели точности):Рабочие вещества – О2, Ar, CF4, SF6. Глубина травления до 1-2 мкм; латеральное разрешение 30 нм.
Производитель: ИЯФ СО РАН, Россия
Год выпуска: 2008
Назначение: высокоскоростное нанесение на плоские подложки высококачественных алмазоподобных и нанокомпозитных пленок. Ионно-лучевое травление микроструктур; очистка поверхности.
Основные измеряемые характеристики (диапазон измерения характеристик, показатели точности): покрытий с толщиной 1 – 1000 нм. Материалы пленок – углерод, нихром, Cu, Ni, Al и др.
