Исследования лаборатории ориентированы на решение экспериментальных задач по спектральной характеризации материалов в диапазоне частот от 50 ГГц до нескольких десятков ТГц техникой ЛОВ- и Фурье-спектроскопии. Ключевым направлением работы лаборатории является разработка высокоэффективных микроструктурных квазиоптических элементов, предназначенных для управления амплитудными, фазовыми и поляризационными характеристиками пучков субмиллиметрового и терагерцового излучения.
Изготавливаемые методами литографии, гальванопластики, а также лазерной микрообработки элементы выполнены на основе многослойных частотно-избирательных поверхностей – тонких планарных металлизированных микроструктур с субволновыми ячейками специальной геометрической формы, топология которых определяет селективные характеристики элемента. Данный подход позволяет создавать квазиоптические структуры с уникальными электродинамическими свойствами и оптимальными весогабаритными параметрами, нереализуемыми или труднодостижимыми в рамках решений классической оптики инфракрасного и видимого диапазонов.
Сотрудниками лаборатории разработаны уникальные квазиоптические селективные элементы на основе субволновых микроструктур для управления пучками излучения в диапазоне частот от 50 ГГц до 3 ТГц. К элементам относятся полосовые пропускающие фильтры, преобразователи фазы и поляризации, планарные фокусаторы, резонансные поглотители и болометрические детекторы на их основе. В ряде случаев разработанные устройства опережают по функциональным характеристикам зарубежные аналоги. Разработанные элементы интегрированы с радиометрическими системами на установках Института ядерной физики и Конструкторско-технологического института прикладной микроэлектроники СО РАН, где проводятся эксперименты с электромагнитным излучением субмиллиметрового и терагерцового диапазонов.
Лаборатория входит в состав Аналитико-технологического инновационного центра «Высокие технологии и новые материалы» НГУ.
Физический факультет НГУ
Институт ядерной физики СО РАН
Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники СО РАН
